Počet záznamů: 1
Syntéza inovativních nanostruktur v GaN s využitím energetických iontových svazků
Údaje o názvu Syntéza inovativních nanostruktur v GaN s využitím energetických iontových svazků / Adéla Jagerová Osobní jméno Jagerová, Adéla, (autor diplomové práce nebo disertace) Fyz.popis 71 listů : grafy, schémata + 1 CD Poznámky Vedoucí práce Anna Macková Abstrakt Unikátní vlastnosti předurčují monokrystaly GaN k použití jako moderní materiálu v oblasti fotoniky a spintroniky. Vynikající vlastnosti umožňují modulaci a zároveň zesílení optického záření nebo ovládání spinů dopantů externím polem. Technika iontové implantace je jednou z možností, jak vytvořit tenké vrstvy s význačnými optickými nebo magnetickými vlastnostmi. Strukturální změny způsobené implantací ionty vzácných zemin a kovů do monokrystalů nebo po implantačním žíhání nebyly dosud dobře objasněny. Krystalické vzorky různých krystalografických řezů budou implantovány rozličnými ionty a následně žíhány. Koncentrační profily dopantů budou studovány metodou Rutherfordova zpětného rozptylu iontů (RBS). Analýza bude provedena na urychlovači Tandetron 4130 MC pomocí iontového svazku 2,0 MeV He+. Aby bylo možné studovat změny způsobené implantačním procesem, bude vliv žíhání na obnovení hostitelské mřížky zkoumán metodou RBS/channeling a dalšími komplementárními metodami pro získání komplexních informací o strukturálních změnách a funkčních vlastnostech připravených nanostruktur. Due to the unique properties of GaN continue to be used as advanced materials in the field of photonics and spintronics. The outstanding properties allow modulating and simultaneously also amplifying optical radiation or spin carrier influencing by the external field. The ion-implantation technique is a way to form the layers with the extraordinary optical or magnetic properties. The structural changes caused by rare earth and metal ion implantation or by post-implantation annealing have not yet been well clarified. The crystalline samples of various crystallographic orientations will be implanted by various ions and sub-sequently annealed. The concentration profiles of the incorporated atoms will be studied by Rutherford backscattering spectroscopy (RBS). The analysis will be performed at a Tandetron 4130 MC accelerator using a 2.0 MeV He+ ion beam. In order to study the damages introduced by the implantation process, the influence of the annealing procedure on the recovery of the host lattice will be examined by RBS/channelling measurements and other complementary analytical methods to have a comprehensive information about the structural changes and the functional properties of the investigated nanostructures. Dal.odpovědnost Macková, Anna, 1973- (vedoucí diplomové práce nebo disertace) Dal.odpovědnost Univerzita J.E. Purkyně v Ústí nad Labem. Katedra fyziky (udělovatel akademické hodnosti) Předmět.hesla nanotechnologie Předmět.hesla iontová implantace * fotonika * spintronika * RBS - kanálování * ion implantation * photonics * spintronics * RBS channeling Forma, žánr bakalářské práce Konspekt 62 - Technika všeobecně MDT 62-022.532 * (043)378.22 Země vyd. Česko Jazyk dok. čeština URL https://portal.ujep.cz/StagPortletsJSR168/CleanUrl?urlid=prohlizeni-prace-detail&praceIdno=00174559 Druh dok. Vysokoškolské práce 
Signatura Čár.kód Dislokace Volný výběr Info DA 6406 3300706406 sklad C pouze prezenčně
Počet záznamů: 1